| Capacidad | 1000 GB |
| Factor de forma | M.2 2280 |
| Memoria flash NAND | NAND 3D |
| Interfaz | PCIe Gen4 x4 |
| Lectura secuencial (máx.*) | Hasta 6000 MB/s (PC/portátil)* |
| Escritura secuencial (máx.) | Hasta 5000 MB/s* |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C – 70°C |
| Temperatura de almacenamiento | -40°C – 85°C |
| Resistencia a los golpes | 1500 G/0,5 ms |
| MTBF | 2.000.000 de horas |
| Terabytes escritos (TBW) (Capacidad máxima*) | 640 TB** |
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